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更新時間：2023-09-19 
瀏覽次數(shù)：656mks 1150C 帶粘性堵塞流的MASO-FLO蒸氣源質(zhì)量流控制器
許多新的加工技術(shù),如三-V化合物的MOMbe(CBE)、使用TEOS的硅沉積和等離子體聚合等,對質(zhì)量流控制技術(shù)的要求越來越高。上述所有應(yīng)用都使用在室溫下為液體或固體的源材料,并需要加熱以增加蒸汽源壓力。我們在精密壓力測量儀器方面的廣泛經(jīng)驗使基于壓力測量的質(zhì)量流量計和控制器成為了這一技術(shù)的自然延伸,并導(dǎo)致了1150C和115C的發(fā)展。1150/1152能夠提供蒸發(fā)的液體源物質(zhì),如:TEOS、DADBS、HMDS、TMcts、TMAL、TEB、TEG、TEI、TMAR、TMB、TMM、TMI、TAL5、DMAMA、TY[(CH3)2]4、TCLL4、TTBBBL和TMP。
該1150C是基于粘性堵塞流技術(shù)。描述堵塞通過孔流的方程是 Q = CP 1 當(dāng)Q是質(zhì)量流時,C是常數(shù),P 1 是上游的壓力。方程顯示了通過堵塞口的流量與該口上游的壓力之間的關(guān)系。要求在孔口前進(jìn)行絕對壓力測量。當(dāng)上游壓力(P1)大約是下游壓力(P-2)的兩倍時,就會實現(xiàn)堵塞流。這種情況可能限制動態(tài)范圍的精確測量,但控制范圍的可重復(fù)性不受影響。由于上游壓力必須是下游壓力的兩倍,因此該系統(tǒng)適合于處理系統(tǒng)壓力小于幾個托爾的應(yīng)用。
在應(yīng)用中,將1150/1152放在源材料烤箱的下游。不需要精確的溫度控制,因為單元控制環(huán)將補(bǔ)償進(jìn)口壓力的變化。從1150/1152或從源爐到工藝系統(tǒng)的運(yùn)輸線應(yīng)盡可能短和加熱。應(yīng)在部件和管道上保持正溫度梯度,從源烤箱到工藝室,以防止凝結(jié)。凝結(jié)引起流動穩(wěn)定性的振蕩或膜沉降速率的不可重復(fù)性。如果不小心的話,在氣泡系統(tǒng)中可能會出現(xiàn)類似的問題。
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